SIHB12N50E-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+0 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 50
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    SIHB12N50E-GE3
  • Производитель
    VISHAY
Вы можете запросить у нас любое количество SIHB12N50E-GE3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SIHB12N50E-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 6,6А; Idm: 21А; 114Вт

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    D2PAK
  • Корпус
    TO263
  • Рассеиваемая мощность
    114Вт
  • Полярность
    полевой
  • Заряд затвора
    50нC
  • Ток стока
    6,6А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    500В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    0,38Ом
  • Ток стока в импульсном режиме
    21А
  • Gate-source voltage
    ±30В
  • Вес
    1.8g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация