SIHB100N65E-GE3
Смотрите техническое описание товара.
| Количество | Цена |
|---|---|
| 1 | 1 962 ₽ |
| 10 | 1 349 ₽ |
| 50 | 1 087 ₽ |
| 100 | 1 003 ₽ |
| 500 | 856 ₽ |
-
УсловияМинимально 1 и кратно 1Срок поставки 4-6 недель
Цена включает НДС -
АртикулSIHB100N65E-GE3
-
ПроизводительVISHAY
банковской картой или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.
SIHB100N65E-GE3 описание и характеристики
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 19А; Idm: 63А; 208Вт
