SIHB100N65E-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 982 шт
Количество Цена
1 1 962 ₽
10 1 349 ₽
50 1 087 ₽
100 1 003 ₽
500 856 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+128 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SIHB100N65E-GE3
  • Производитель
    VISHAY
SIHB100N65E-GE3 от 856 рублей в наличии 982 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIHB100N65E-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 19А; Idm: 63А; 208Вт

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    D2PAK
  • Корпус
    TO263
  • Рассеиваемая мощность
    208Вт
  • Полярность
    полевой
  • Заряд затвора
    41нC
  • Ток стока
    19А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    650В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    87мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    63А
  • Gate-source voltage
    ±30В
  • Вес
    1.8g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация