SIDR610EP-T1-RE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 5909 шт
Количество Цена
1 2 228 ₽
10 747 ₽
100 451 ₽
500 385 ₽
3000 312 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+46 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SIDR610EP-T1-RE3
  • Производитель
    VISHAY
SIDR610EP-T1-RE3 от 312 рублей в наличии 5909 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIDR610EP-T1-RE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 33,1А; Idm: 80А

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAK® SO8
  • Рассеиваемая мощность
    150Вт
  • Полярность
    полевой
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    20нC
  • Ток стока
    33,1А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    200В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    23,9мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    80А
  • Gate-source voltage
    ±20В
  • Вес
    0.13g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация