Каталог товаров

SIDR610EP-T1-RE3

SIDR610EP-T1-RE3

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 5909 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 2 161
10 724
100 437
500 373
3000 303
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 5 909 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SIDR610EP-T1-RE3

Производитель

Купить SIDR610EP-T1-RE3 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SIDR610EP-T1-RE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 33,1А; Idm: 80А

Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 23,9мОм
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме 80А
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 150Вт
Выбрано: Показать
Заряд затвора 20нC
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Технология TrenchFET®
Выбрано: Показать
Ток стока 33,1А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток 200В
Выбрано: Показать
Тип транзистора N-MOSFET
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±20В
Выбрано: Показать
Корпус PowerPAK® SO8
Выбрано: Показать
Вес 0.13g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти