SIDR608DP-T1-RE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 4881 шт
Количество Цена
1 2 038 ₽
10 615 ₽
100 352 ₽
500 283 ₽
3000 232 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+34 балла
SIDR608DP-T1-RE3 от 232 рублей в наличии 4881 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIDR608DP-T1-RE3 описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAK® SO8
  • Рассеиваемая мощность
    104Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    167нC
  • Ток стока
    208А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    45В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    1,8мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    400А
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация