SIDR5102EP-T1-RE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 4335 шт
Количество Цена
1 2 078 ₽
10 642 ₽
100 373 ₽
500 304 ₽
3000 247 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+37 баллов
SIDR5102EP-T1-RE3 от 247 рублей в наличии 4335 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIDR5102EP-T1-RE3 описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Монтаж
    SMD
  • Заряд затвора
    51нC
  • Технология
    TrenchFET®
  • Напряжение сток-исток
    100В
  • Ток стока
    126А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Сопротивление в открытом состоянии
    5,6мОм
  • Gate-source voltage
    ±20V
  • Ток стока в импульсном режиме
    300А
  • Корпус
    PowerPAK® SO8
  • Рассеиваемая мощность
    150Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    лента
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация