SIDR392DP-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 3731 шт
Количество Цена
1 2 117 ₽
10 670 ₽
100 394 ₽
500 325 ₽
3000 263 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+39 баллов
SIDR392DP-T1-GE3 от 263 рублей в наличии 3731 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIDR392DP-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Монтаж
    SMD
  • Заряд затвора
    188нC
  • Технология
    TrenchFET®
  • Напряжение сток-исток
    30В
  • Ток стока
    100А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Сопротивление в открытом состоянии
    930мкОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    200А
  • Корпус
    PowerPAK® SO8
  • Рассеиваемая мощность
    125Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    лента
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация