Каталог товаров

SIA416DJ-T1-GE3

  • всего в наличии: 36294 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 1 454
10 254
50 121
500 68
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 36 294 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SIA416DJ-T1-GE3

Производитель

Техническое описание

Купить SIA416DJ-T1-GE3 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SIA416DJ-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 11,3А; Idm: 15А; 12Вт

Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 12Вт
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 83мОм
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±20В
Выбрано: Показать
Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Корпус PowerPAK® SC70
Выбрано: Показать
Технология TrenchFET®
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме 15А
Выбрано: Показать
Заряд затвора 10нC
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Ток стока 11,3А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток 100В
Выбрано: Показать
Тип транзистора N-MOSFET
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±20V
Выбрано: Показать
Вес 0.025g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти