Каталог товаров

SI7898DP-T1-GE3

SI7898DP-T1-GE3

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 1664 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 570
10 284
100 256
500 207
1000 203
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 1 664 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SI7898DP-T1-GE3

Производитель

Техническое описание

Купить SI7898DP-T1-GE3 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SI7898DP-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 3А; Idm: 25А; 1,2Вт

Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Корпус PowerPAK® SO8
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 1,2Вт
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Технология TrenchFET®
Выбрано: Показать
Заряд затвора 21нC
Выбрано: Показать
Ток стока 3А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток 150В
Выбрано: Показать
Тип транзистора N-MOSFET
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 85мОм
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±20В
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме 25А
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±20V
Выбрано: Показать
Вес 0.025g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти