SI7116BDN-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 9162 шт
в г. Санкт-Петербург 2 шт ?Минимальный срок доставки - 1 день
Количество Цена
1 1 629 ₽
10 342 ₽
100 155 ₽
500 115 ₽
3000 90 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+13 баллов
SI7116BDN-T1-GE3 от 90 рублей в наличии 9164 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI7116BDN-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Рассеиваемая мощность
    62,5Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    48нC
  • Ток стока
    65А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    40В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    9,6мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    100А
  • Gate-source voltage
    ±20V
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация