SI5504BDC-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+17 баллов
Вы можете запросить у нас любое количество SI5504BDC-T1-GE3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SI5504BDC-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: N/P-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Тип транзистора
    N/P-MOSFET
  • Монтаж
    SMD
  • Заряд затвора
    7нC
  • Технология
    TrenchFET®
  • Напряжение сток-исток
    30/-30В
  • Ток стока
    4/-3,7А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Сопротивление в открытом состоянии
    235/100мОм
  • Gate-source voltage
    ±20V
  • Корпус - мм
    3216
  • Корпус (люймы)
    1206
  • Корпус
    ChipFET8
  • Рассеиваемая мощность
    3,1/3,12Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    лента
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вес
    0.001g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация