SI3590DV-T1-E3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+233 балла
Вы можете запросить у нас любое количество SI3590DV-T1-E3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SI3590DV-T1-E3 описание и характеристики

Transistor: N/P-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Тип транзистора
    N/P-MOSFET
  • Монтаж
    SMD
  • Заряд затвора
    6/4,5нC
  • Технология
    TrenchFET®
  • Напряжение сток-исток
    30/-30В
  • Ток стока
    2/-1,3А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Сопротивление в открытом состоянии
    77/170мОм
  • Gate-source voltage
    ±12V
  • Ток стока в импульсном режиме
  • Корпус
    SC74
  • Корпус
    TSOP6
  • Рассеиваемая мощность
    1,05Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    лента
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация