Каталог товаров

SI4936CDY-T1-GE3

SI4936CDY-T1-GE3

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 2491 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 189
10 123
50 87
100 76
500 67
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 2 491 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SI4936CDY-T1-GE3

Производитель

Техническое описание

Купить SI4936CDY-T1-GE3 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SI4936CDY-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,6А; Idm: 20А

Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Корпус SO8
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 1,5Вт
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Технология TrenchFET®
Выбрано: Показать
Заряд затвора 9нC
Выбрано: Показать
Ток стока 4,6А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток 30В
Выбрано: Показать
Тип транзистора N-MOSFET x2
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 50мОм
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±20В
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме 20А
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±20V
Выбрано: Показать
Вес 0.1g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти