SI4670DY-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+0 баллов
Вы можете запросить у нас любое количество SI4670DY-T1-GE3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SI4670DY-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SO8
  • Рассеиваемая мощность
    2,8Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    18нC
  • Ток стока
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    25В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET x2 + Schottky
  • Сопротивление в открытом состоянии
    28мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    30А
  • Gate-source voltage
    ±16В
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация