SI4488DY-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 3453 шт
Количество Цена
1 1 960 ₽
10 562 ₽
50 358 ₽
100 313 ₽
500 247 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+37 баллов
SI4488DY-T1-GE3 от 247 рублей в наличии 3453 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI4488DY-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 2,8А; Idm: 50А; 1Вт

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SO8
  • Напряжение затвор-исток
    ±20В
  • Напряжение сток-исток
    150В
  • Полярность
    полевой
  • Рассеиваемая мощность
    1Вт
  • Сопротивление в открытом состоянии
    50мОм
  • Технология
    TrenchFET®
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Ток стока
    2,8А
  • Ток стока в импульсном режиме
    50А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Заряд затвора
    36нC
  • Gate-source voltage
    ±20V
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация