SI4427BDY-T1-E3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+16 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    SI4427BDY-T1-E3
  • Производитель
    VISHAY
  • Техническое описание:
Вы можете запросить у нас любое количество SI4427BDY-T1-E3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SI4427BDY-T1-E3 описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SO8
  • Рассеиваемая мощность
    2,5Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    70нC
  • Ток стока
    -12,6А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -30В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    19,5мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    -50А
  • Gate-source voltage
    ±12V
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация