Каталог товаров

SQD50N10-8M9L_GE3

SQD50N10-8M9L_GE3

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 1830 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 1 736
10 433
50 259
100 223
500 171
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 1 830 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SQD50N10-8M9L-GE3

Производитель

Купить SQD50N10-8M9L_GE3 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SQD50N10-8M9L-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 49А; Idm: 200А

Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Тип транзистора N-MOSFET
Выбрано: Показать
Технология TrenchFET®
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток 100В
Выбрано: Показать
Ток стока 49А
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме 200А
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 136Вт
Выбрано: Показать
Корпус DPAK
Выбрано: Показать
Корпус TO252
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±20В
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 8,9мОм
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Заряд затвора 70нC
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Применение автомобильная отрасль
Выбрано: Показать
Вес 0.34g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти