SQD50N10-8M9L_GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 5919 шт
Количество Цена
1 495 ₽
10 318 ₽
50 242 ₽
100 217 ₽
500 174 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+26 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SQD50N10-8M9L-GE3
  • Производитель
    VISHAY
SQD50N10-8M9L_GE3 от 174 рублей в наличии 5919 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SQD50N10-8M9L-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 49А; Idm: 200А

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    DPAK
  • Корпус
    TO252
  • Рассеиваемая мощность
    136Вт
  • Полярность
    полевой
  • Применение
    автомобильная отрасль
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    70нC
  • Ток стока
    49А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    100В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    8,9мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    200А
  • Gate-source voltage
    ±20В
  • Вес
    0.34g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация