SI3900DV-T1-E3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+31 балл
Вы можете запросить у нас любое количество SI3900DV-T1-E3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SI3900DV-T1-E3 описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Монтаж
    SMD
  • Заряд затвора
    4нC
  • Технология
    TrenchFET®
  • Напряжение сток-исток
    20В
  • Ток стока
    2,4А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Сопротивление в открытом состоянии
    0,2Ом
  • Gate-source voltage
    ±12V
  • Ток стока в импульсном режиме
  • Корпус
    SC74
  • Корпус
    TSOP6
  • Рассеиваемая мощность
    1,15Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    лента
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация