Каталог товаров

SI3442BDV-T1-GE3

SI3442BDV-T1-GE3

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 1673 шт
Количество Цена ₽ /шт
56 88
135 74
536 59
Добавить 56 шт. на ₽
В корзину
От 56 шт.
Доступно 1 673 шт.

Условия

  • Минимально 56 и кратно 56
  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SI3442BDV-T1-GE3

Производитель

Техническое описание

Купить SI3442BDV-T1-GE3 от 56 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SI3442BDV-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET

Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Корпус SC74
Выбрано: Показать
Корпус TSOP6
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 1,67Вт
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Технология TrenchFET®
Выбрано: Показать
Заряд затвора 5нC
Выбрано: Показать
Ток стока 4,2А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток 20В
Выбрано: Показать
Тип транзистора N-MOSFET
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 90мОм
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме 20А
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±12V
Выбрано: Показать
Вес 0.1g

Вы недавно смотрели

Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти