SI3129DV-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 9510 шт
Количество Цена
1 268 ₽
10 169 ₽
100 112 ₽
3000 69 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+10 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SI3129DV-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
SI3129DV-T1-GE3 от 69 рублей в наличии 9510 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI3129DV-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    TSOP6
  • Корпус
    SC74
  • Рассеиваемая мощность
    4,2Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    18нC
  • Ток стока
    -5,4А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -80В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    124,2мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    -20А
  • Gate-source voltage
    ±20V
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация