SI7252DP-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 17354 шт
Количество Цена
1 561 ₽
10 364 ₽
100 251 ₽
500 203 ₽
1000 194 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+29 баллов
SI7252DP-T1-GE3 от 194 рублей в наличии 17354 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI7252DP-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 100В; 29,2А; Idm: 80А

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAK® SO8
  • Рассеиваемая мощность
    29Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    27нC
  • Ток стока
    29,2А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    100В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET x2
  • Сопротивление в открытом состоянии
    21мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±20В
  • Ток стока в импульсном режиме
    80А
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация