SI1900DL-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+5 баллов
Вы можете запросить у нас любое количество SI1900DL-T1-GE3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SI1900DL-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SOT363
  • Корпус
    SC70-6
  • Рассеиваемая мощность
    0,3Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    1,4нC
  • Ток стока
    0,63А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    30В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET x2
  • Сопротивление в открытом состоянии
    0,7Ом
  • Ток стока в импульсном режиме
  • Gate-source voltage
    ±20V
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация