SI1308EDL-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+4 балла
  • Условия
    Минимально 24 и кратно 24
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    SI1308EDL-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
Вы можете запросить у нас любое количество SI1308EDL-T1-GE3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SI1308EDL-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,4А; Idm: 6А; 0,3Вт; SC70

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SC70
  • Корпус
    SOT323
  • Версия
    ESD
  • Рассеиваемая мощность
    0,3Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    ESD protected gate
  • Заряд затвора
    4,1нC
  • Ток стока
    1,4А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    30В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    132мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±12В
  • Ток стока в импульсном режиме
  • Gate-source voltage
    ±12V
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация