Бесплатная доставка по России
Каталог товаров

MG12150D-BA1MM

MG12150D-BA1MM
MG12150D-BA1MM
MG12150D-BA1MM
MG12150D-BA1MM
MG12150D-BA1MM
MG12150D-BA1MM
MG12150D-BA1MM
MG12150D-BA1MM
MG12150D-BA1MM
  • MG12150D-BA1MM
  • MG12150D-BA1MM
  • MG12150D-BA1MM
  • MG12150D-BA1MM
  • MG12150D-BA1MM
  • MG12150D-BA1MM
  • MG12150D-BA1MM
  • MG12150D-BA1MM
  • MG12150D-BA1MM

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • нет в наличии
По запросу

Условия

  • Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу

Артикул

MG12150D-BA1MM

Производитель

Техническое описание

Купить MG12150D-BA1MM от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

MG12150D-BA1MM описание и характеристики

Полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А; package D; винтами; винтами

Производитель LITTELFUSE
Выбрано: Показать
Механический монтаж screw
Выбрано: Показать
Электрический монтаж screw
Выбрано: Показать
Корпус package D
Выбрано: Показать
Тип модуля IGBT
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 1.1kW
Выбрано: Показать
Конструкция диода transistor/transistor
Выбрано: Показать
Обратное напряжение макс. 1.2kV
Выбрано: Показать
Топология IGBT half-bridge
Выбрано: Показать
Ток коллектора 150A
Выбрано: Показать
Ток коллектора в импульсе 300A
Выбрано: Показать
Напряжение затвор - эмиттер ±20V
Выбрано: Показать
Тип полупроводникового модуля IGBT
Выбрано: Показать
Вес 322.7g

Похожие товары

Обычно ищут вместе

Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти