IXFN60N80P

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+866 баллов
Вы можете запросить у нас любое количество IXFN60N80P, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

IXFN60N80P описание и характеристики

Модуль; одиночный транзистор; 800В; 53А; SOT227B; Ugs: ±30В; 1040Вт

  • Производитель
    IXYS
  • Механический монтаж
    винтами
  • Электрический монтаж
    винтами
  • Корпус
    SOT227B
  • Тип модуля
    полевой МОП-транзистор
  • Рассеиваемая мощность
    1040Вт
  • Полярность
    полевой
  • Конструкция диода
    одиночный транзистор
  • Технология
    HiPerFET™
  • Технология
    Polar™
  • Заряд затвора
    250нC
  • Ток стока
    53А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    800В
  • Сопротивление в открытом состоянии
    140мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±30В
  • Время готовности
    250нс
  • Ток стока в импульсном режиме
    150А
  • Вес
    37.31g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация