APT30M19JVFR

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+1195 баллов
Вы можете запросить у нас любое количество APT30M19JVFR, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

APT30M19JVFR описание и характеристики

Модуль; одиночный транзистор; 300В; 130А; ISOTOP; Ugs: ±30В; 700Вт

  • Конструкция диода
    одиночный транзистор
  • Сопротивление в открытом состоянии
    19мОм
  • Полярность
    полевой
  • Ток стока в импульсном режиме
    520А
  • Напряжение сток-исток
    300В
  • Ток стока
    130А
  • Напряжение затвор-исток
    ±30В
  • Корпус
    ISOTOP
  • Рассеиваемая мощность
    700Вт
  • Технология
    POWER MOS V®
  • Тип модуля
    полевой МОП-транзистор
  • Вид канала
    обогащенный
  • Механический монтаж
    винтами
  • Электрический монтаж
    винтами
  • Gate-source voltage
    ±30V
  • Тип полупроводникового модуля
    MOSFET транзистор
  • Вид упаковки
    туба
  • Производитель
    MICROCHIP TECHNOLOGY
  • Вес
    36.97g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация