IXFN200N10P

всего в наличии 1 шт
Количество Цена ₽/шт
1 7 355
10 6 537
100 5 717
500 4 879
Бесплатная доставка
и получите
+731 балл
  • Условия
    Минимально 1 шт и кратно 1 шт
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    IXFN200N10P
  • Производитель
    IXYS
  • Техническое описание:
Купить IXFN200N10P от 1 шт с помощью банковской карты можно прямо сейчас на нашем сайте.
Работаем с частными и юридическими лицами.

IXFN200N10P описание и характеристики

Модуль; одиночный транзистор; 100В; 200А; SOT227B; Ugs: ±30В; 680Вт

  • Рассеиваемая мощность
    680Вт
  • Напряжение сток-исток
    100В
  • Технология
    Polar™
  • Сопротивление в открытом состоянии
    7,5мОм
  • Корпус
    SOT227B
  • Производитель
    IXYS
  • Ток стока
    200А
  • Полярность
    полевой
  • Ток стока в импульсном режиме
    400А
  • Заряд затвора
    235нC
  • Технология
    HiPerFET™
  • Напряжение затвор-исток
    ±30В
  • Вид канала
    обогащенный
  • Конструкция диода
    одиночный транзистор
  • Время готовности
    150нс
  • Электрический монтаж
    винтами
  • Механический монтаж
    винтами
  • Тип модуля
    полевой МОП-транзистор
  • Вес
    37.04g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация