Бесплатная доставка по России
Каталог товаров

HGTG10N120BND

HGTG10N120BND

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 1681 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 948
30 530
120 438
510 371
1020 346
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 1 681 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

HGTG10N120BND

Производитель

Техническое описание

Купить HGTG10N120BND от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

HGTG10N120BND описание и характеристики

Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 17А; 298Вт; TO247-3

Производитель ON SEMICONDUCTOR
Выбрано: Показать
Монтаж THT
Выбрано: Показать
Корпус TO247-3
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 298Вт
Выбрано: Показать
Вид упаковки туба
Выбрано: Показать
Характеристики полупроводниковых элементов integrated anti-parallel diode
Выбрано: Показать
Заряд затвора 150нC
Выбрано: Показать
Тип транзистора IGBT
Выбрано: Показать
Напряжение коллектор-эмиттер 1,2кВ
Выбрано: Показать
Ток коллектора 17А
Выбрано: Показать
Ток коллектора в импульсе 80А
Выбрано: Показать
Напряжение затвор - эмиттер ±20В
Выбрано: Показать
Вес 5.03g

Вы недавно смотрели

Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти