GD200HFY120C8S
Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии
4 шт
| Количество | Цена |
|---|---|
| 1 | 13 327 ₽ |
| 5 | 12 333 ₽ |
| 10 | 11 221 ₽ |
| 50 | 10 985 ₽ |
+
-
Бесплатная доставка
-
УсловияМинимально 1 и кратно 1Срок поставки 4-6 недель
Цена включает НДС -
АртикулGD200HFY120C8S
-
ПроизводительSTARPOWER SEMICONDUCTOR
GD200HFY120C8S от 10985 рублей в наличии 4 шт производства STARPOWER SEMICONDUCTOR, купить от 1 шт можно 
банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.
банковской картой или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.
GD200HFY120C8S описание и характеристики
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В
