GD150HFY120C8S
всего в наличии
80 шт
| Количество | Цена |
|---|---|
| 1 | 15 141 ₽ |
| 5 | 14 527 ₽ |
| 10 | 13 808 ₽ |
| 50 | 13 387 ₽ |
+
-
Бесплатная доставка
-
УсловияМинимально 1 и кратно 1Срок поставки 4-6 недель
Цена включает НДС -
АртикулGD150HFY120C8S
-
ПроизводительSTARPOWER SEMICONDUCTOR
GD150HFY120C8S от 13387 рублей в наличии 80 шт производства STARPOWER SEMICONDUCTOR, купить от 1 шт можно 
банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.
банковской картой или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.
GD150HFY120C8S описание и характеристики
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В
Вы смотрели:
