Каталог товаров

G2R1000MT17D

G2R1000MT17D
G2R1000MT17D
  • G2R1000MT17D
  • G2R1000MT17D

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • нет в наличии
По запросу

Условия

  • Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу

Артикул

G2R1000MT17D

Производитель

Техническое описание

Купить G2R1000MT17D от 4 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

G2R1000MT17D описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4А; Idm: 8А; 53Вт; TO247-3

Производитель GeneSiC Semiconductor Inc.
Выбрано: Показать
Монтаж THT
Выбрано: Показать
Корпус TO247-3
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 53Вт
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Вид упаковки туба
Выбрано: Показать
Технология SiC
Выбрано: Показать
Технология G2R™
Выбрано: Показать
Ток стока 4А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток 1,7кВ
Выбрано: Показать
Тип транзистора N-MOSFET
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 1Ом
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток -5...20В
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме 8А
Выбрано: Показать
Gate-source voltage -5...20V
Выбрано: Показать
Вес 6.085g

Похожие товары

Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти