Каталог товаров

G3R30MT12K

G3R30MT12K
G3R30MT12K
  • G3R30MT12K
  • G3R30MT12K

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 290 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 5 657
30 3 683
120 3 325
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 290 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

G3R30MT12K

Производитель

Техническое описание

Купить G3R30MT12K от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

G3R30MT12K описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 63А; Idm: 200А; 400Вт

Производитель GeneSiC Semiconductor Inc.
Выбрано: Показать
Монтаж THT
Выбрано: Показать
Корпус TO247-4
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 400Вт
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Вид упаковки туба
Выбрано: Показать
Технология G3R™
Выбрано: Показать
Технология SiC
Выбрано: Показать
Характеристики полупроводниковых элементов вывод Кельвина
Выбрано: Показать
Заряд затвора 155нC
Выбрано: Показать
Ток стока 63А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток 1,2кВ
Выбрано: Показать
Тип транзистора N-MOSFET
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 30мОм
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток -5...15В
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме 200А
Выбрано: Показать
Gate-source voltage -5...15В
Выбрано: Показать
Вес 6.7g

Похожие товары

Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти