FZ825R33HE4DBPSA1

всего в наличии 2 шт
Количество Цена
1 263 950 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+39592 балла
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    FZ825R33HE4DBPSA1
  • Производитель
    INFINEON TECHNOLOGIES
FZ825R33HE4DBPSA1 от 263950 рублей в наличии 2 шт производства INFINEON TECHNOLOGIES, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

FZ825R33HE4DBPSA1 описание и характеристики

Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; IGBT x2

  • Производитель
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Механический монтаж
    винтами
  • Электрический монтаж
    винтами
  • Корпус
    AG-IHVB130
  • Конструкция диода
    транзистор/транзистор
  • Конструкция диода
    общий эмиттер
  • Обратное напряжение макс.
    3,3кВ
  • Топология
    IGBT x2
  • Ток коллектора
    825А
  • Ток коллектора в импульсе
    1,65кА
  • Напряжение затвор - эмиттер
    ±20В
  • Тип полупроводникового модуля
    IGBT
  • Вес
    25g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация