Бесплатная доставка по России
Каталог товаров

AFGB40T65RQDN

AFGB40T65RQDN

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 803 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 2 205
10 750
100 455
800 348
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 803 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

AFGB40T65RQDN

Производитель

Купить AFGB40T65RQDN от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

AFGB40T65RQDN описание и характеристики

Transistor: IGBT; 650V; 40A; 169.68W; D2PAK; automotive industry

Производитель ONSEMI
Выбрано: Показать
Корпус D2PAK
Выбрано: Показать
Тип транзистора IGBT
Выбрано: Показать
Характеристики полупроводниковых элементов integrated anti-parallel diode
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Применение автомобильная отрасль
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Заряд затвора 51нC
Выбрано: Показать
Ток коллектора 40А
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 169,68Вт
Выбрано: Показать
Напряжение затвор - эмиттер ±20В
Выбрано: Показать
Напряжение коллектор-эмиттер 650В
Выбрано: Показать
Ток коллектора в импульсе 160А
Выбрано: Показать
Вес 2g

Обычно ищут вместе

Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти