Модуль GD15PJX65F1S производства STARPOWER SEMICONDUCTOR — это силовой IGBT-модуль, предназначенный для применения в инверторах, источниках бесперебойного питания (UPS) и сервоприводах. Он использует технологию Trench Field Stop (Trench FS IGBT), которая обеспечивает низкие потери проводимости и устойчивость к коротким замыканиям.
Основные характеристики:
1. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер 650 В.
2. Номинальный ток коллектора 15 А.
3. Импульсный ток коллектора 30 А.
4. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1,45 В.
5. Максимальное напряжение затвор-эмиттер ±20 В .
6. Рабочая температура корпуса от −40 °C до +150 °C.
Особенности:
- технология Trench FS IGBT. Обеспечивает низкие потери проводимости и высокую эффективность работы;
- устойчивость к коротким замыканиям. Модуль способен выдерживать короткое замыкание в течение 6 мкс;
- положительный температурный коэффициент напряжения насыщения (VCE(sat)). Это улучшает стабильность работы в условиях высоких температур;
- низкоиндуктивный корпус. Снижает потери, связанные с индуктивностью;
- быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельного диода. Уменьшает динамические потери;
- изолированный теплоотвод на основе технологии DBC (Direct Bonded Copper). Повышает надёжность и долговечность модуля.
Применение GD15PJX65F1S:
- инверторы для привода двигателей;
- AC и DC сервоприводы;
- источники бесперебойного питания (UPS).
