Транзисторы IGBT представляют собой трехэлектродный силовой полупроводник. Он сочетает в себе сразу два транзистора. Данное устройство можно назвать достаточно оригинальным, ведь для его создания за основу брались особенности строения полевого и биполярного транзисторов.
Благодаря этому получился своего рода «гибрид», который сочетает в себе положительные характеристики обоих видов транзисторов. При этом суть работы сводится к тому, что полевой транзистор управляет достаточно мощным транзистором биполярного типа. Благодаря этому становится возможном переключать высокие нагрузки при небольшой мощности.
Особая структура транзисторов IGBT включает в себя следующие элементы:
- биполярный, который образует силовой канал;
- полевой, способствующий образованию канала управления.
Данный элемент используется преимущественно в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, а также в инверторах. Изделие отличается отличными показателями по частоте, а также высоким уровнем входного сопротивления. Но самое главное, что имеется большой линейный диапазон с небольшим искажением поступающего сигнала тока.
