Ещё из раздела
- 23LCV1024T-I/SN IC: память SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; SOIC8; -40÷85°C
- 23LCV1024T-I/ST IC: память SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; TSSOP8; -40÷85°C
- 23LCV512T-I/SN IC: память SRAM; 512кБSRAM; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; SOIC8; -40÷85°C
- 23LCV512T-I/ST IC: память SRAM; 512кБSRAM; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; TSSOP8; -40÷85°C
- 47C04-E/P IC: память SRAM; 512x8бит; 4,5÷5,5В; DIP8; -40÷125°C; туба; 400нс
- 47C04-E/SN IC: память SRAM; 512x8бит; 4,5÷5,5В; SOIC8; -40÷125°C; туба; 400нс
- 47C04-E/ST IC: память SRAM; 512x8бит; 4,5÷5,5В; TSSOP8; -40÷125°C; туба; 400нс
- 47C04T-E/SN IC: память SRAM; 512x8бит; 4,5÷5,5В; SOIC8; -40÷125°C; 400нс
- 47C04T-E/ST IC: память SRAM; 512x8бит; 4,5÷5,5В; TSSOP8; -40÷125°C; 400нс
- 47C04T-I/SN IC: память SRAM; 512x8бит; 4,5÷5,5В; SOIC8; -40÷85°C; бобина,лента
- 47C04T-I/ST IC: память SRAM; 512x8бит; 4,5÷5,5В; TSSOP8; -40÷85°C; 400нс
- 47C16-E/P IC: память SRAM; 2Кx8бит; 4,5÷5,5В; DIP8; -40÷125°C; туба; 400нс
- 47C16-E/SN IC: память SRAM; 2Кx8бит; 4,5÷5,5В; SOIC8; -40÷125°C; туба; 400нс
- 47C16-E/ST IC: память SRAM; 2Кx8бит; 4,5÷5,5В; TSSOP8; -40÷125°C; туба; 400нс
- 47C16T-E/SN IC: память SRAM; 2Кx8бит; 4,5÷5,5В; SOIC8; -40÷125°C; бобина,лента
- 47C16T-E/ST IC: память SRAM; 2Кx8бит; 4,5÷5,5В; TSSOP8; -40÷125°C; 400нс
- 47C16T-I/SN IC: память SRAM; 2Кx8бит; 4,5÷5,5В; SOIC8; -40÷85°C; бобина,лента
- 47C16T-I/ST IC: память SRAM; 2Кx8бит; 4,5÷5,5В; TSSOP8; -40÷85°C; бобина,лента
- 47L04-E/P IC: память SRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; -40÷125°C; туба; 400нс
- 47L04-E/SN IC: память SRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; SOIC8; -40÷125°C; туба; 400нс
- 47L04-E/ST IC: память SRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; TSSOP8; -40÷125°C; туба; 400нс
- 47L04T-E/SN IC: память SRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; SOIC8; -40÷125°C; 400нс
- 47L04T-E/ST IC: память SRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; TSSOP8; -40÷125°C; 400нс
- 47L04T-I/ST IC: память SRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; TSSOP8; -40÷85°C; 400нс
Памяти SRAM последовательные
181 позицияПо умолчанию