Ещё из раздела
- WV102416DBLL55TLI IC: память SRAM; 1Mx16бит; 2,2÷3,6В; 55нс; TSOP48; параллельный
- WV51232BLL10BLI IC: SRAM memory; 512kx32bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA90; parallel
- WV5128EBLL45TLI IC: память SRAM; 512Кx8бит; 2,2÷3,6В; 45нс; TSOP32; параллельный
- LV25616AL10BLITR IC: память SRAM; 256Кx16бит; 3,3В; 10нс; miniBGA48; параллельный
- WV2568EDBLL10CTLA3 IC: память SRAM; 256Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II; -40÷125°C
- LPS51236B200B3LI IC: SRAM memory; 512kx36bit; 3.3V; 3ns; TFBGA165; parallel
- LPS102436B200TQLI IC: SRAM memory; 1Mx36bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100; parallel; -40÷85°C
- AS7C1026B-12JINTR IC: память SRAM; 16Кx8бит; 5В; 12нс; SOJ44; 400mils
- WV2568EBLL45TLI IC: память SRAM; 256Кx8бит; 2,2÷3,6В; 45нс; TSOP32; параллельный
- NLP204836B166TQLI IC: SRAM memory; 2Mx36bit; 3.3V; 3.8ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C
- QDB21M18A250B4LI IC: память SRAM; 1Mx18бит; 1,8В; LFBGA165; параллельный; -40÷85°C
- C1024AL45TLA3TR IC: память SRAM; 128Кx8бит; 5В; 45нс; TSOP32; параллельный
- WV102416EDBLL10T2L IC: память SRAM; 1Mx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP48; параллельный
- WV5128EDBLL10CTLAT IC: память SRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II; -40÷125°C
- QDPB42M36A2500M3LI IC: SRAM memory; 2Mx36bit; 1.8V; LFBGA165; parallel; -40÷85°C
- AS6C4016B-45ZINTR IC: память SRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II
- WV51216ALL70BLITR IC: память SRAM; 512Кx16бит; 1,65÷2,2В; 70нс; miniBGA48; -40÷85°C
- NLP25618A200B3LI IC: SRAM memory; 256kx18bit; 3.3V; 3.1ns; PBGA165; parallel
- AS7C31026B-12TIN IC: память SRAM; 16Кx8бит; 3,3В; 12нс; TSOP44 II
- NLP102418B200B3L IC: память SRAM; 1Mx18бит; 3,3В; 3нс; TFBGA165; параллельный
- WV51216BLL55BLITR IC: память SRAM; 512Кx16бит; 2,5÷3,6В; 55нс; miniBGA48; -40÷85°C
- WV102416EDBLL10BLT IC: память SRAM; 1Mx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48; параллельный
- WV102416EDBLL10BLI IC: память SRAM; 1Mx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48; параллельный
- NLF25636B7.5TQLITR IC: SRAM memory; 256kx36bit; 3.3V; 7.5ns; QFP100; parallel
Памяти SRAM параллельные
1 850 позицийПо умолчанию