Ещё из раздела
- 4C1G8D3LA-10BCNTR IC: память DRAM; 1Гx8бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA78; 0÷95°C
- 4C1G8D3LA-10BINTR IC: память DRAM; 1Гx8бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA78; -40÷95°C
- 4C256M16D3C-10BCN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D3C-10BIN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; лоток
- 4C256M16D3C-12BCN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D3C-12BIN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; лоток
- 4C256M16D3C-93BCN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 1066МГц; 13,09нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D3C10BCNTR IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D3C10BINTR IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; бобина
- 4C256M16D3C12BCNTR IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D3C12BINTR IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; бобина
- 4C256M16D3C93BCNTR IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 1066МГц; 13,09нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D3LC-10BAN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; лоток
- 4C256M16D3LC-10BCN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D3LC-10BIN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; лоток
- 4C256M16D3LC-12BCN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D3LC10BANT IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; бобина
- 4C256M16D3LC10BCNT IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D3LC10BINT IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,91нс; FBGA96; бобина
- 4C256M16D3LC12BAN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; лоток
- 4C256M16D3LC12BANT IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; бобина
- 4C256M16D3LC12BCNT IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D3LC12BIN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; лоток
- 4C256M16D3LC12BINT IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; бобина
Памяти DRAM - микросхемы
1 301 позицияПо умолчанию
- 2680 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 935 ₽
- 10 шт. — 871 ₽
- 25 шт. — 846 ₽
- 50 шт. — 826 ₽
- 108 шт. — 807 ₽
935 ₽
В корзину
Доступно 2 680 шт.
- 111 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 208 ₽
- 10 шт. — 1 125 ₽
- 25 шт. — 1 090 ₽
- 50 шт. — 1 041 ₽
1 208 ₽
В корзину
Доступно 111 шт.