Ещё из раздела
- IS42S16160G-7TL-TR IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 143МГц; 7нс; TSOP54 II; 0÷70°C; 3,3ВDC
- IS42S16160G-7TL IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 143МГц; 7нс; TSOP54 II; 0÷70°C; туба
- IS42S16160G-6TLI IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TSOP54 II; -40÷85°C; туба
- IS42S16100H-7TLITR IC: память DRAM; 512Кx16битx2; 143МГц; 7нс; TSOP50 II; -40÷85°C
- IS42S16100H-7TLI IC: память DRAM; 512Кx16битx2; 143МГц; 7нс; TSOP50 II; -40÷85°C
- AS4C8M32MSA-6BINTR IC: память DRAM; 8Mx32бит; 1,7В; 166МГц; 5,5нс; FBGA90; -40÷85°C
- AS4C8M32MSA-6BIN IC: память DRAM; 8Mx32бит; 1,7В; 166МГц; 5,5нс; FBGA90; -40÷85°C
- AS4C8M16MSA-6BINTR IC: память DRAM; 8Mx16бит; 1,7В; 166МГц; 6нс; FBGA54; -40÷85°C
- AS4C8M16MSA-6BIN IC: память DRAM; 8Mx16бит; 1,7В; 166МГц; 6нс; FBGA54; -40÷85°C
- AS4C64M8SC-7TIN IC: память DRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II; -40÷85°C; лоток
- AS4C64M32MD2A25BIN IC: память DRAM; 64Mx32бит; 1,8В; 400МГц; FBGA134; -40÷85°C; лоток
- AS4C64M16MD2A25BIN IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 18нс; FBGA134; -40÷85°C
- AS4C64M16D3LB-12BC IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷70°C
- AS4C4M32MSA-6BINTR IC: память DRAM; 4Mx32бит; 1,7В; 166МГц; 5,5нс; FBGA90; -40÷85°C
- AS4C4M32MSA-6BIN IC: память DRAM; 4Mx32бит; 1,7В; 166МГц; 5,5нс; FBGA90; -40÷85°C
- AS4C32M32MD2A25BIN IC: память DRAM; 32Mx32бит; 1,8В; 400МГц; 18нс; FBGA134; -40÷85°C
- AS4C32M16SC-7TINTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 3,3В; 133МГц; 5,4нс; TSOP54 II; бобина
- AS4C32M16SC-7TIN IC: память DRAM; 32Mx16бит; 3,3В; 133МГц; 5,4нс; TSOP54 II; лоток
- AS4C32M16MSA-6BINT IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,7В; 166МГц; 5,5нс; FBGA54; -40÷85°C
- AS4C32M16MSA-6BIN IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,7В; 166МГц; 5,5нс; FBGA54; -40÷85°C
- AS4C16M32SC-7TINTR IC: память DRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс; TSOP86 II
- AS4C16M32SC-7TIN IC: память DRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс; TSOP86 II; лоток
- AS4C16M32MSA-6BINT IC: память DRAM; 16Mx32бит; 1,8В; 166МГц; 5,5нс; FBGA90; -40÷85°C
- AS4C16M32MSA-6BIN IC: память DRAM; 16Mx32бит; 1,8В; 166МГц; 5,5нс; FBGA90; -40÷85°C
Памяти DRAM - микросхемы
1 301 позиция