Ещё из раздела
- 4C512M8D3LC12BINTR IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; бобина
- 4C512M8D4-75BCNTR IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA78; 0÷95°C
- 4C512M8D4-75BINTR IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA78; бобина
- 4C512M8D4-83BCNTR IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,2В; 1,2ГГц; 14,16нс; FBGA78; 0÷95°C
- 4C512M8D4-83BINTR IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,2В; 1,2ГГц; 14,16нс; FBGA78; -40÷95°C
- 4C64M16D1A-6BINTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 2,5В; 166МГц; FBGA60; -40÷95°C; бобина
- 4C64M16D1A-6TCNTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 2,5В; 166МГц; TSOP66 II; 0÷95°C; бобина
- 4C64M16D1A-6TINTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 2,5В; 166МГц; TSOP66 II; -40÷95°C
- 4C64M16D2A-25BANTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷105°C
- 4C64M16D2A-25BCNTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; 0÷85°C
- 4C64M16D2A-25BINTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷95°C
- 4C64M16D2B-25BCNTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; 0÷85°C
- 4C64M16D3B-12BANTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; бобина
- 4C64M16D3B-12BCNTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C64M16D3B-12BINTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; -40÷85°C
- 4C64M16D3LB-12BAN IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; лоток
- 4C64M16D3LB12BANTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; бобина
- 4C64M16D3LB12BCNTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C64M16D3LB12BINTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; бобина
- 4C64M16MD1A-5BINTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FBGA60; -40÷85°C
- 4C64M16MD2A-25BIN IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,2÷1,8В; 400МГц; 18нс; FBGA134; лоток
- 4C64M32MD1-5BCNTR IC: память DRAM; 64Mx32бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FBGA90; -25÷85°C
- 4C64M32MD1-5BINTR IC: память DRAM; 64Mx32бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FBGA90; -40÷85°C
- 4C64M32MD1A-5BINTR IC: память DRAM; 64Mx32бит; 1,8В; 200МГц; FBGA90; -40÷85°C; бобина
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию
- 1343 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 365 ₽
- 10 шт. — 342 ₽
- 25 шт. — 334 ₽
- 50 шт. — 331 ₽
- 100 шт. — 318 ₽
365 ₽
В корзину
Доступно 1 343 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 1337 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 107 ₽
- 10 шт. — 105 ₽
- 100 шт. — 89 ₽
107 ₽
В корзину
Доступно 1 337 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 1336 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 63 ₽
- 25 шт. — 61 ₽
- 100 шт. — 61 ₽
63 ₽
В корзину
Доступно 1 336 шт.
INFINEON (CYPRESS)
- 1333 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 518 ₽
- 10 шт. — 1 411 ₽
- 25 шт. — 1 368 ₽
- 97 шт. — 1 305 ₽
- 194 шт. — 1 273 ₽
1 518 ₽
В корзину
Доступно 1 333 шт.
- 1332 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 40 ₽
- 25 шт. — 35 ₽
- 100 шт. — 33.6 ₽
- 500 шт. — 32 ₽
40 ₽
В корзину
Доступно 1 332 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 1329 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 72 ₽
- 25 шт. — 71 ₽
72 ₽
В корзину
Доступно 1 329 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 1324 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 717 ₽
- 10 шт. — 710 ₽
- 25 шт. — 703 ₽
- 90 шт. — 687 ₽
717 ₽
В корзину
Доступно 1 324 шт.
INFINEON (CYPRESS)
- 1324 шт. — 4 недели
- 10 шт. — 5 468 ₽
- 39 шт. — 4 241 ₽
5 468 ₽
В корзину
Доступно 1 324 шт.
от 10 шт. и кратно 10
- 1323 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 267 ₽
- 10 шт. — 251 ₽
- 25 шт. — 244 ₽
- 50 шт. — 239 ₽
- 100 шт. — 233 ₽
267 ₽
В корзину
Доступно 1 323 шт.
- 1323 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 4 252 ₽
- 10 шт. — 3 941 ₽
- 25 шт. — 3 817 ₽
- 50 шт. — 3 724 ₽
- 135 шт. — 3 592 ₽
4 252 ₽
В корзину
Доступно 1 323 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 1323 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 110 ₽
- 100 шт. — 109 ₽
- 500 шт. — 104 ₽
110 ₽
В корзину
Доступно 1 323 шт.
INFINEON (CYPRESS)
- 1321 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 686 ₽
- 10 шт. — 520 ₽
- 25 шт. — 432 ₽
- 50 шт. — 399 ₽
1 686 ₽
В корзину
Доступно 1 321 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 1321 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 47 ₽
- 25 шт. — 45 ₽
- 100 шт. — 43 ₽
47 ₽
В корзину
Доступно 1 321 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 1319 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 134 ₽
- 10 шт. — 133 ₽
134 ₽
В корзину
Доступно 1 319 шт.