Ещё из раздела
- 4C128M16D2A25BANTR IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; бобина
- 4C128M16D2A25BCNTR IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; 0÷85°C
- 4C128M16D2A25BINTR IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷95°C
- 4C128M16D3C-93BCN IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,5В; 1066МГц; 13,09нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C128M16D3C93BCNTR IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,5В; 1066МГц; 13,09нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C128M16D3LC-12BAN IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; лоток
- 4C128M16D3LC-12BCN IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C128M16D3LC-12BIN IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; лоток
- 4C128M16D3LC12BANT IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; бобина
- 4C128M16D3LC12BCNT IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C128M16D3LC12BINT IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; бобина
- 4C128M16MD4-062BAN IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,1÷1,8В; 1,6ГГц; 625пс; -40÷105°C
- 4C128M32MD4-062BAN IC: память DRAM; 128Мx32бит; 1,1÷1,8В; 1,6ГГц; 625пс; -40÷105°C
- 4C128M8D2A-25BCNTR IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA60; 0÷85°C
- 4C128M8D2A-25BINTR IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA60; -40÷95°C
- 4C128M8D3B-12BANTR IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; бобина
- 4C128M8D3B-12BCNTR IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; 0÷95°C
- 4C128M8D3B-12BINTR IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; -40÷95°C
- 4C128M8D3LB-12BAN IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; лоток
- 4C128M8D3LB-12BIN IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; лоток
- 4C128M8D3LB12BANTR IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; бобина
- 4C128M8D3LB12BCNTR IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; 0÷95°C
- 4C128M8D3LB12BINTR IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; бобина
- 4C16M16D1A-5TCNTR IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; 0÷70°C
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 1501 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 96 ₽
- 25 шт. — 94 ₽
- 100 шт. — 87 ₽
96 ₽
В корзину
Доступно 1 501 шт.
- 1501 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 680 ₽
- 10 шт. — 535 ₽
- 25 шт. — 448 ₽
- 50 шт. — 415 ₽
- 100 шт. — 393 ₽
1 680 ₽
В корзину
Доступно 1 501 шт.
INFINEON (CYPRESS)
- 1500 шт. — 4 недели
- 1500 шт. — 2 808 ₽
2 808 ₽
В корзину
Доступно 1 500 шт.
от 1500 шт. и кратно 1500
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 1500 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 2 810 ₽
- 750 шт. — 1 436 ₽
2 810 ₽
В корзину
Доступно 1 500 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 1495 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 728 ₽
- 25 шт. — 714 ₽
728 ₽
В корзину
Доступно 1 495 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 1495 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 449 ₽
- 25 шт. — 252 ₽
- 100 шт. — 206 ₽
1 449 ₽
В корзину
Доступно 1 495 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 1495 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 2 075 ₽
- 25 шт. — 847 ₽
- 100 шт. — 769 ₽
2 075 ₽
В корзину
Доступно 1 495 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 1492 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 2 068 ₽
- 1000 шт. — 676 ₽
2 068 ₽
В корзину
Доступно 1 492 шт.
INFINEON (CYPRESS)
- 1491 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 3 005 ₽
- 10 шт. — 2 788 ₽
- 25 шт. — 2 701 ₽
- 50 шт. — 2 635 ₽
- 100 шт. — 2 570 ₽
3 005 ₽
В корзину
Доступно 1 491 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 1484 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 66 ₽
- 25 шт. — 64 ₽
66 ₽
В корзину
Доступно 1 484 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 1482 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 59 ₽
- 25 шт. — 57 ₽
- 100 шт. — 56 ₽
- 250 шт. — 55 ₽
59 ₽
В корзину
Доступно 1 482 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 1481 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 80 ₽
- 25 шт. — 76 ₽
- 100 шт. — 74 ₽
80 ₽
В корзину
Доступно 1 481 шт.
STMicroelectronics
- 1479 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 68 ₽
- 250 шт. — 59 ₽
- 1000 шт. — 50 ₽
68 ₽
В корзину
Доступно 1 479 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 1478 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 96 ₽
- 25 шт. — 94 ₽
- 100 шт. — 92 ₽
96 ₽
В корзину
Доступно 1 478 шт.