Ещё из раздела
- 4C256M16D3C93BCNTR IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 1066МГц; 13,09нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D3LC-10BAN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; лоток
- 4C256M16D3LC-10BCN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D3LC-10BIN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; лоток
- 4C256M16D3LC-12BCN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D3LC10BANT IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; бобина
- 4C256M16D3LC10BCNT IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D3LC10BINT IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,91нс; FBGA96; бобина
- 4C256M16D3LC12BAN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; лоток
- 4C256M16D3LC12BANT IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; бобина
- 4C256M16D3LC12BCNT IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D3LC12BIN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; лоток
- 4C256M16D3LC12BINT IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; бобина
- 4C256M16D4-75BCNTR IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D4-75BINTR IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA96; бобина
- 4C256M16D4-83BCNTR IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,2В; 1,2ГГц; 14,16нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D4-83BINTR IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,2В; 1,2ГГц; 14,16нс; FBGA96; бобина
- 4C256M16MD4-062BAN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,1÷1,8В; 1,6ГГц; 625пс; -40÷105°C
- 4C256M32MD4-062BAN IC: память DRAM; 1,1÷1,8В; 1,6ГГц; 625пс; -40÷105°C; лоток
- 4C256M8D2-25BCNTR IC: память DRAM; 256Мx8бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA60; 0÷85°C
- 4C256M8D2-25BINTR IC: память DRAM; 256Мx8бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA60; -40÷95°C
- 4C256M8D2A-25BCNTR IC: память DRAM; 256Мx8бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA60; 0÷85°C
- 4C256M8D3LC-12BAN IC: память DRAM; 256Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; лоток
- 4C256M8D3LC-12BCN IC: память DRAM; 256Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; 0÷95°C
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 1953 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 439 ₽
- 25 шт. — 241 ₽
- 100 шт. — 197 ₽
1 439 ₽
В корзину
Доступно 1 953 шт.
ALLIANCE MEMORY
- 1950 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 4 545 ₽
- 10 шт. — 4 212 ₽
- 25 шт. — 4 081 ₽
- 50 шт. — 3 980 ₽
- 100 шт. — 3 831 ₽
4 545 ₽
В корзину
Доступно 1 950 шт.
- 1950 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 045 ₽
- 10 шт. — 960 ₽
- 25 шт. — 943 ₽
- 50 шт. — 928 ₽
- 90 шт. — 914 ₽
1 045 ₽
В корзину
Доступно 1 950 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 1935 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 80 ₽
- 25 шт. — 78 ₽
- 250 шт. — 78 ₽
80 ₽
В корзину
Доступно 1 935 шт.
- 1930 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 914 ₽
- 10 шт. — 752 ₽
- 25 шт. — 659 ₽
- 50 шт. — 620 ₽
- 100 шт. — 594 ₽
1 914 ₽
В корзину
Доступно 1 930 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 1929 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 76 ₽
- 25 шт. — 74 ₽
- 100 шт. — 73 ₽
76 ₽
В корзину
Доступно 1 929 шт.
ROHM SEMICONDUCTOR
- 1928 шт. — 4 недели
- 125 шт. — 112 ₽
- 300 шт. — 101 ₽
- 500 шт. — 99 ₽
- 1000 шт. — 88 ₽
112 ₽
В корзину
Доступно 1 928 шт.
от 125 шт. и кратно 125
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 1925 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 57 ₽
- 25 шт. — 55 ₽
- 100 шт. — 53 ₽
57 ₽
В корзину
Доступно 1 925 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 1923 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 64 ₽
- 10 шт. — 62 ₽
64 ₽
В корзину
Доступно 1 923 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 1916 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 82 ₽
- 10 шт. — 81 ₽
- 1000 шт. — 73 ₽
82 ₽
В корзину
Доступно 1 916 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 1916 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 96 ₽
- 25 шт. — 94 ₽
- 300 шт. — 94 ₽
96 ₽
В корзину
Доступно 1 916 шт.
STMicroelectronics
- 1902 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 105 ₽
- 25 шт. — 96 ₽
- 100 шт. — 92 ₽
105 ₽
В корзину
Доступно 1 902 шт.