Ещё из раздела
- AS4C64M8D2-25BAN IC: память DRAM; 64Мx8бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA60; -40÷105°C
- AS4C64M8D2-25BANTR IC: память DRAM; 64Мx8бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA60; -40÷105°C
- AS4C64M8D2-25BCNTR IC: память DRAM; 64Мx8бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA60; 0÷85°C
- AS4C64M8D2-25BINTR IC: память DRAM; 64Мx8бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA60; -40÷95°C
- AS4C64M8D3-12BCN IC: память DRAM; 64Мx8бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; 0÷95°C
- AS4C64M8D3-12BCNTR IC: память DRAM; 64Мx8бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; 0÷95°C
- AS4C64M8D3-12BIN IC: память DRAM; 64Мx8бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; -40÷95°C
- AS4C64M8D3-12BINTR IC: память DRAM; 64Мx8бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; -40÷95°C
- AS4C64M8D3L-12BCN IC: память DRAM; 64Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; 0÷95°C
- AS4C64M8D3L-12BIN IC: память DRAM; 64Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; -40÷95°C
- AS4C64M8SC-7TINTR IC: память DRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II; -40÷85°C
- AS4C8M16D1-5BCNTR IC: память DRAM; 8Mx16бит; 2,5В; 200МГц; FBGA60; 0÷70°C; бобина
- AS4C8M16D1-5BINTR IC: память DRAM; 8Mx16бит; 2,5В; 200МГц; FBGA60; -40÷85°C; бобина
- AS4C8M16D1A-5TCNTR IC: память DRAM; 8Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; 0÷70°C; бобина
- AS4C8M16D1A-5TINTR IC: память DRAM; 8Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; -40÷85°C
- AS4C8M16SA-6BAN IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54; -40÷105°C
- AS4C8M16SA-6BANTR IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54; -40÷105°C
- AS4C8M16SA-6BINTR IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54; -40÷85°C
- AS4C8M16SA-6TAN IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP54 II; лоток
- AS4C8M16SA-6TANTR IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP54 II; бобина
- AS4C8M16SA-7BCNTR IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; FBGA54; 0÷70°C
- AS4C8M32SA-6BINTR IC: память DRAM; 2Mx32битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TFBGA90; -40÷85°C
- AS4C8M32SA-7BCNTR IC: память DRAM; 2Mx32битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TFBGA90; 0÷70°C
- AS5F12G04SND-10LIN IC: память FLASH; 2Гб; SPI; 100МГц; 1,7÷2В; LGA8; последовательный
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 2154 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 136 ₽
- 500 шт. — 126 ₽
- 1000 шт. — 125 ₽
136 ₽
В корзину
Доступно 2 154 шт.
STMicroelectronics
- 2148 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 76 ₽
- 50 шт. — 70 ₽
- 500 шт. — 65 ₽
- 1000 шт. — 59 ₽
76 ₽
В корзину
Доступно 2 148 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 2136 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 193 ₽
- 100 шт. — 186 ₽
- 250 шт. — 184 ₽
- 1000 шт. — 158 ₽
193 ₽
В корзину
Доступно 2 136 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 2132 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 440 ₽
- 25 шт. — 219 ₽
1 440 ₽
В корзину
Доступно 2 132 шт.
ROHM SEMICONDUCTOR
- 2120 шт. — 4 недели
- 133 шт. — 106 ₽
- 300 шт. — 95 ₽
- 500 шт. — 93 ₽
- 1000 шт. — 82 ₽
106 ₽
В корзину
Доступно 2 120 шт.
от 133 шт. и кратно 133
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 2120 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 67 ₽
- 10 шт. — 66 ₽
67 ₽
В корзину
Доступно 2 120 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 2119 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 217 ₽
- 25 шт. — 213 ₽
217 ₽
В корзину
Доступно 2 119 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 2110 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 49 ₽
- 10 шт. — 47 ₽
- 25 шт. — 46 ₽
49 ₽
В корзину
Доступно 2 110 шт.
ROHM SEMICONDUCTOR
- 2109 шт. — 4 недели
- 425 шт. — 30 ₽
- 500 шт. — 28 ₽
- 1000 шт. — 26.4 ₽
30 ₽
В корзину
Доступно 2 109 шт.
от 425 шт. и кратно 425
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 2106 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 155 ₽
- 10 шт. — 154 ₽
- 25 шт. — 150 ₽
- 100 шт. — 146 ₽
155 ₽
В корзину
Доступно 2 106 шт.