Ещё из раздела
- 4C128M32MD4-062BAN IC: память DRAM; 128Мx32бит; 1,1÷1,8В; 1,6ГГц; 625пс; -40÷105°C
- 4C128M8D2A-25BCNTR IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA60; 0÷85°C
- 4C128M8D2A-25BINTR IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA60; -40÷95°C
- 4C128M8D3B-12BANTR IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; бобина
- 4C128M8D3B-12BCNTR IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; 0÷95°C
- 4C128M8D3B-12BINTR IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; -40÷95°C
- 4C128M8D3LB-12BAN IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; лоток
- 4C128M8D3LB-12BIN IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; лоток
- 4C128M8D3LB12BANTR IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; бобина
- 4C128M8D3LB12BCNTR IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; 0÷95°C
- 4C128M8D3LB12BINTR IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; бобина
- 4C16M16D1A-5TCNTR IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; 0÷70°C
- 4C16M16D1A-5TINTR IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; -40÷95°C
- 4C16M16D2-25BCNTR IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; 0÷85°C
- 4C16M16D2-25BINTR IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷95°C
- 4C16M16MD1-6BCNTR IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 1,8В; 166МГц; FBGA60; -30÷85°C; бобина
- 4C16M32MD1-5BCNTR IC: память DRAM; 16Mx32бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FBGA90; -25÷85°C
- 4C16M32MD1-5BINTR IC: память DRAM; 16Mx32бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FBGA90; -40÷85°C
- 4C1G8D3LA-10BCNTR IC: память DRAM; 1Гx8бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA78; 0÷95°C
- 4C1G8D3LA-10BINTR IC: память DRAM; 1Гx8бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA78; -40÷95°C
- 4C256M16D3C-10BCN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D3C-10BIN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; лоток
- 4C256M16D3C-12BCN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D3C-12BIN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; лоток
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 2326 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 202 ₽
- 25 шт. — 195 ₽
- 100 шт. — 188 ₽
202 ₽
В корзину
Доступно 2 326 шт.
ROHM SEMICONDUCTOR
- 2326 шт. — 4 недели
- 150 шт. — 95 ₽
- 300 шт. — 84 ₽
- 500 шт. — 82 ₽
- 1000 шт. — 72 ₽
95 ₽
В корзину
Доступно 2 326 шт.
от 150 шт. и кратно 150
DIALOG SEMICONDUCTOR
- 2321 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 98 ₽
- 25 шт. — 89 ₽
- 196 шт. — 84 ₽
98 ₽
В корзину
Доступно 2 321 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 2319 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 470 ₽
- 25 шт. — 460 ₽
470 ₽
В корзину
Доступно 2 319 шт.
- 2318 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 2 385 ₽
- 10 шт. — 2 214 ₽
- 25 шт. — 2 146 ₽
- 50 шт. — 2 094 ₽
- 135 шт. — 2 021 ₽
2 385 ₽
В корзину
Доступно 2 318 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 2317 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 224 ₽
- 25 шт. — 223 ₽
224 ₽
В корзину
Доступно 2 317 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 2316 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 94 ₽
- 100 шт. — 89 ₽
- 1000 шт. — 86 ₽
94 ₽
В корзину
Доступно 2 316 шт.
- 2315 шт. — 4 недели
- 116 шт. — 122 ₽
- 300 шт. — 111 ₽
- 500 шт. — 109 ₽
- 1000 шт. — 97 ₽
122 ₽
В корзину
Доступно 2 315 шт.
от 116 шт. и кратно 116
ROHM SEMICONDUCTOR
- 2311 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 410 ₽
- 10 шт. — 263 ₽
- 25 шт. — 183 ₽
- 50 шт. — 155 ₽
- 250 шт. — 128 ₽
1 410 ₽
В корзину
Доступно 2 311 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 2308 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 54 ₽
- 25 шт. — 53 ₽
54 ₽
В корзину
Доступно 2 308 шт.
STMicroelectronics
- 2305 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 46 ₽
- 500 шт. — 38 ₽
46 ₽
В корзину
Доступно 2 305 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 2302 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 101 ₽
- 25 шт. — 99 ₽
- 100 шт. — 96 ₽
101 ₽
В корзину
Доступно 2 302 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 2300 шт. — 4 недели
- 34 шт. — 148 ₽
- 81 шт. — 123 ₽
- 322 шт. — 98 ₽
- 1604 шт. — 86 ₽
148 ₽
В корзину
Доступно 2 300 шт.
от 34 шт. и кратно 34