Ещё из раздела
- AS4C512M8D4-75BCN IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA78; 0÷95°C
- AS4C512M8D4-75BIN IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA78; лоток
- AS4C512M8D4-83BCN IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,2В; 1,2ГГц; 14,16нс; FBGA78; 0÷95°C
- AS4C512M8D4-83BIN IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,2В; 1,2ГГц; 14,16нс; FBGA78; -40÷95°C
- AS4C64M16D1A-6BIN IC: память DRAM; 64Mx16бит; 2,3÷2,7В; 166МГц; 0,7нс; FBGA60
- AS4C64M16D2B-25BCN IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,7÷1,9В; 400МГц; 400пс; FBGA84; 0÷95°C
- AS4C64M16MD1A-5BIN IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,7÷1,95В; 200МГц; 6,5нс; FBGA60
- AS4C64M32MD1-5BCN IC: память DRAM; 64Mx32бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FBGA90; 0÷70°C
- AS4C64M32MD1-5BIN IC: память DRAM; 64Mx32бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FBGA90; -40÷85°C
- AS4C64M4SA-6TIN IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- AS4C64M4SA-7TCN IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54 II; 0÷70°C
- AS4C8M16SA-6BIN IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54; -40÷85°C
- AS4C8M16SA-7BCN IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; FBGA54; 0÷70°C
- AS4C8M32MD2A-25BCN IC: память DRAM; 8Mx32бит; 1,7÷1,95В; 400МГц; 5,5нс; FBGA134
- AS4C8M32SA-6BIN IC: память DRAM; 2Mx32битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TFBGA90; -40÷85°C
- AS4C8M32SA-7BCN IC: память DRAM; 2Mx32битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TFBGA90; 0÷70°C
- AS6C1608-55BIN IC: память SRAM; 2Mx8бит; 2,7÷3,6В; 55нс; TFBGA48
- AS6C1608-55TIN IC: память SRAM; 2Mx8бит; 2,7÷3,6В; 55нс; TSOP44 II; 400mils
- AS6C3216A-55BIN IC: память SRAM; 2Mx16бит; 2,7÷3,6В; 55нс; TFBGA48
- AS6C3216A-55TIN IC: память SRAM; 2Mx16бит; 2,7÷3,6В; 55нс; TSOP48
- AS6C4008A-55TIN IC: память SRAM; 512Кx8бит; 2,7÷3,6В; 55нс; TSOP32
- AS6C4008A-55ZIN IC: память SRAM; 512Кx8бит; 2,7÷3,6В; 55нс; TSOP32 II; 400mils
- AS6C4016A-45ZIN Память SRAM; 256Кx16бит; 2,7÷5,5В; 45нс; TSOP44 II
- AS6C6416-55BIN IC: память SRAM; 4Mx16бит; 2,7÷3,6В; 55нс; TFBGA48
Памяти - микросхемы
11 623 позиции