Ещё из раздела
- 25LP032D-JNLA3 IC: память FLASH; 32Мб; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 2,3÷3,6В; SO8
- WV204816BLL10TLI IC: память SRAM; 2Mx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP48; параллельный
- AS7C1026B-20TINTR IC: память SRAM; 16Кx8бит; 5В; 20нс; TSOP44 II
- CAT24C64HU4I-GT3 IC: память EEPROM; I2C; 8Кx8бит; 1,7÷5,5В; 1МГц; uDFN8
- LV25616AL10BLI IC: память SRAM; 256Кx16бит; 3,3В; 10нс; miniBGA48; параллельный
- 25WP064A-JKLE-TR IC: память FLASH; 64Мб; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 1,65÷1,95В; WSON8
- WV5128EDBLL10CTLA3 IC: память SRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II; -40÷125°C
- X29GL128FHXFI90GTR IC: память FLASH; 90нс; LFBGA64; параллельный
- CAT24C208WI-GT3 IC: память EEPROM; I2C; 4x256x8бит; 2,5÷5,5В; 400кГц; SOIC8
- 45S16320F-6TLA1 IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 167МГц; 6нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- 43R16320F-6BL IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TWBGA60; 0÷70°C; 2,5ВDC
- 25LP128F-JLLA3-TR IC: память FLASH; 128Мб; DTR,QPI,SPI; 166МГц; 2,3÷3,6В; WSON8
- MX25L6433FZNI-08G IC: память FLASH; 64Мб; SPI; 8Mx8бит; 133МГц; 2,65÷3,6В; WSON8
- 42VM16160K-75BLI IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 133МГц; 7,5нс; TFBGA54; -40÷85°C
- WV10248BLL10CTLA3 IC: память SRAM; 1Mx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II; параллельный
- 43LD16640C-25BLI IC: память DRAM; 8Mx16битx8; 400МГц; 18нс; TFBGA134; -40÷85°C
- MX35LF4G24ADZ4ITY IC: память FLASH; 4Гб; 120МГц; 2,7÷3,6В; WSON8; последовательный
- 46LR32160C-6BLA2 IC: DRAM memory; 4Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90; -40÷105°C
- WV204816BLL10BLITR IC: память SRAM; 2Mx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48; параллельный
- 43TR16128D-125KBL IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1066МГц; 13,75нс; TWBGA96; 0÷95°C
- NV25320DWHFT3G IC: память EEPROM; SPI; 4Кx8бит; 2,5÷5,5В; 10МГц; SOIC8
- WVS1288FBLL20NLI IC: память SRAM; 128Кx8бит; 2,2÷3,6В; SO8; -40÷85°C; лоток,туба
- 42S16800F-6BL IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA54; 0÷70°C; 3÷3,6ВDC
- N84C163WD45TG IC: память EEPROM; I2C; 2Кx8бит; 2,7÷6В; 400кГц; SOIC8
Памяти - микросхемы
11 623 позиции