Ещё из раздела
- WVE1M16EBLL70BLITR IC: память SRAM; 1Mx16бит; 2,7÷3,6В; 70нс; TFBGA48; параллельный
- CAT24AA01TDI-GT3 IC: память EEPROM; I2C; 128x8бит; 1,7÷5,5В; 1МГц; TSOT23-5
- 42S83200J-7TL-TR IC: память DRAM; 8Mx8битx4; 143МГц; 7нс; TSOP54 II; 0÷70°C
- 39VF1601C-70EKE IC: память FLASH; 1Mx16бит; 70нс; TSOP48; параллельный
- MX35LF2G24AD-Z4ITR IC: память FLASH; 2Гб; SPI; 120МГц; 2,7÷3,6В; WSON8
- 42S16160J-6BLI IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA54; -40÷85°C
- 42S32200L-6BLI-TR IC: память DRAM; 512Кx32битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA90; -40÷85°C
- 25LP512M-RMLA3 IC: память FLASH; 512Мб; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 2,3÷3,6В; SO16
- MX25V512EZUI-13GTR IC: память FLASH; 512кб; SPI; 64Кx8бит; 75МГц; 2,35÷3,6В; USON8
- WV12816BLL55BLITR IC: память SRAM; 128Кx16бит; 2,5÷3,6В; 55нс; TFBGA48; параллельный
- NLF12836A7.5TQLITR IC: SRAM memory; 128kx36bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100; parallel
- CAT24C04WI-GT3 IC: память EEPROM; I2C; 512x8бит; 1,7÷5,5В; 400кГц; SOIC8
- MX25U8035EM2I10GTR IC: память FLASH; 8Мб; QPI,SPI; 1Mx8бит; 104МГц; 1,65÷2В; SOP8
- 39VF800A-70CEKE IC: память FLASH; 512Кx16бит; 70нс; TSOP48; параллельный
- WV25616EDBLL10BLI IC: память SRAM; 256Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48; параллельный
- 43DR81280C-3DBL IC: память DRAM; 16Mx8битx8; 333МГц; 15нс; TWBGA60; 0÷85°C
- X25L12833FZ2I10GTR IC: память FLASH; 128Мб; QPI,SPI; 16Mx8бит; 104МГц; 2,7÷3,6В; WSON8
- WV102416EDBLL10TLI IC: память SRAM; 1Mx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP48; параллельный
- NV24C16MUW3VLTBG IC: память EEPROM; I2C; 2Кx8бит; 1,7÷5,5В; 1МГц; uDFN8
- MX25U12832FM2I02TB IC: память FLASH; 128Мб; QPI,SPI; 16Mx8бит; 133МГц; 1,65÷2В; SOP8
- LE25U40CMC-AH IC: память FLASH; 4Мб; 40МГц; 2,3÷3,6В; SOIC8; последовательный
- WV51216EBLL70BLI IC: память SRAM; 512Кx16бит; 2,5÷3,6В; 70нс; TFBGA48; параллельный
- MX68GL1G0GLT2I-10G IC: память FLASH; 100нс; TSOP56; параллельный
- AS7C31026B-15TINTR IC: память SRAM; 16Кx8бит; 3,3В; 15нс; TSOP44 II
Памяти - микросхемы
11 623 позиции