Ещё из раздела
- CAV24M01YE-GT3 IC: память EEPROM; I2C; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 1МГц; TSSOP8
- MX25V8006EZNI-13G IC: память FLASH; 8Мб; SPI; 75МГц; 2,35÷3,6В; WSON8
- 25LP016D-JMLE-TR IC: память FLASH; 16Мб; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 2,3÷3,6В; SO16
- 25LP010E-JYLE-TR IC: память FLASH; 1Мб; QPI,SPI; 104МГц; 2,3÷3,6В; USON8
- NLP25636A200B3LI IC: SRAM memory; 256kx36bit; 3.3V; 200ns; PBGA165; parallel
- 25LP512M-RMLE-TY IC: память FLASH; 512Мб; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 2,3÷3,6В; SO16
- MX29GL512GLT2I-10G IC: память FLASH; 100нс; TSOP56; параллельный
- 43LD16640C-18BLI IC: память DRAM; 8Mx16битx8; 533МГц; 18нс; TFBGA134; -40÷85°C
- LF25636B7.5TQLI IC: SRAM memory; 256kx36bit; 3.3V; 7.5ns; QFP100; parallel
- CAT34C02HU4IGT4A IC: память EEPROM; I2C; 256x8бит; 1,7÷5,5В; 400кГц; uDFN8
- 43DR82560C-25DBLI IC: DRAM memory; 32Mx8bitx8; 400MHz; 5ns; TWBGA60; -40÷85°C
- 25WP01G-RILE IC: память FLASH; 1Гб; DTR,QPI,SPI; 104МГц; 1,65÷1,95В; LFBGA24
- MX25U8033EZNI-12G IC: память FLASH; 8Мб; SPI; 1Mx8бит; 80МГц; 1,65÷2В; WSON8
- WVH8M8ALL166B1LITR IC: память SRAM; 8Mx8бит; 1,8В; 36нс; TFBGA24; параллельный
- 25WP256E-JLLE IC: память FLASH; 256Мб; DTR,QPI,SPI; 166МГц; 1,65÷1,95В; WSON8
- 45S16400J-7TLA2-TR IC: память DRAM; 1Mx16битx4; 143МГц; 7нс; TSOP54 II; -40÷105°C
- 42S16800F-6BLI-TR IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA54; -40÷85°C
- 43R32400E-5BL-TR IC: память DRAM; 1Mx32битx4; 200МГц; 5нс; LFBGA144; 0÷70°C; 2,5ВDC
- 45S32400F-7TLA2-TR IC: память DRAM; 1Mx32битx4; 143МГц; 7нс; TSOP86 II; -40÷105°C
- MX66U1G45GXDI0A IC: память FLASH; 1Гб; DTR,QPI,SPI; 128Мx8бит; 166МГц; 1,65÷2В
- QDPB42M36A400M3LI IC: SRAM memory; 2Mx36bit; 1.8V; LFBGA165; parallel; -40÷85°C
- 25WE256E-RHLA3 IC: память FLASH; 256Мб; DTR,QPI,SPI; 166МГц; 1,7÷1,95В; TFBGA24
- 45S16160J-7BLA1 IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 143МГц; 7нс; TFBGA54; -40÷85°C
- MX25U5121EMI-14GTR IC: память FLASH; 512кб; SPI; 70МГц; 1,65÷2В; SOP8
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию