Ещё из раздела
- MX25V80066M2I02TY IC: память FLASH; 8Мб; SPI; 1Mx8бит; 80МГц; 2,3÷3,6В; SOP8
- 42SM32800K-75BLITR IC: память DRAM; 2Mx32битx4; 133МГц; 7,5нс; TFBGA90; -40÷85°C
- 25LP064D-JBLE-TR IC: память FLASH; 64Мб; DTR,QPI,SPI; 166МГц; 2,3÷3,6В; SO8
- 46DR16640C25DBLA2T IC: память DRAM; 8Mx16битx8; 400МГц; 12,5нс; TWBGA84; -40÷105°C
- 43DR81280C25DBLITR IC: память DRAM; 16Mx8битx8; 400МГц; 12,5нс; TWBGA60; -40÷85°C
- 29GL064-70TLEU IC: память FLASH; CFI,parallel; 70нс; TSOP48; параллельный
- WV6416EEBLL10BLITR IC: память SRAM; 64Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48; параллельный
- 45S32400F-6BLA2 IC: память DRAM; 1Mx32битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA90; -40÷105°C
- 34MW02G084-BLI-TR IC: память FLASH; parallel 8bit; VFBGA63; параллельный
- WV2568EBLL45TLITR IC: память SRAM; 256Кx8бит; 2,2÷3,6В; 45нс; TSOP32; параллельный
- MX25L6406EMI12GTY IC: память FLASH; 64Мб; SPI; 86МГц; 2,7÷3,6В; SOP16
- M95128-RMN6TP IC: память EEPROM; SPI; 16Кx8бит; 1,8÷5,5В; 20МГц; SO8
- 42S16800F-6TLI-TR IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- WV6416EEBLL10CTLA3 IC: память SRAM; 64Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II; -40÷125°C
- WVE4M16EBLL70BLI IC: память SRAM; 4Mx16бит; 2,7÷3,6В; 70нс; TFBGA48; параллельный
- 25WP128F-RMLE-TR IC: память FLASH; 128Мб; DTR,QPI,SPI; 166МГц; 1,65÷1,95В; SO16
- WV102416DBLL55TLI IC: память SRAM; 1Mx16бит; 2,2÷3,6В; 55нс; TSOP48; параллельный
- WV51232BLL10BLI IC: SRAM memory; 512kx32bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA90; parallel
- WV5128EBLL45TLI IC: память SRAM; 512Кx8бит; 2,2÷3,6В; 45нс; TSOP32; параллельный
- 42RM32400H-75BLI IC: память DRAM; 1Mx32битx4; 133МГц; 7,5нс; TFBGA90; -40÷85°C
- 45S16100H-7TLA2-TR IC: память DRAM; 512Кx16битx2; 143МГц; 7нс; TSOP50 II; -40÷105°C
- MX25U6435FZNI-10G IC: память FLASH; 64Мб; QPI,SPI; 8Mx8бит; 104МГц; 1,65÷2В; WSON8
- 46TR16640ED15HBLA1 IC: память DRAM; 64Mx16бит; 13,5нс; TWBGA96; -40÷95°C; лоток,туба
- LV25616AL10BLITR IC: память SRAM; 256Кx16бит; 3,3В; 10нс; miniBGA48; параллельный
Памяти - микросхемы
11 623 позиции