Ещё из раздела
- CY7C1041G30-10BVXI IC: память SRAM; 256Кx16бит; 2,2÷3,6В; 10нс; VFBGA48; параллельный
- CY7C1041G30-10ZSXI IC: память SRAM; 256Кx16бит; 2,2÷3,6В; 10нс; TSOP44 II
- CY7C1041GN-10ZSXI IC: память SRAM; 256Кx16бит; 4,5÷5,5В; 10нс; TSOP44 II
- CY7C1041GN-10ZSXIT IC: память SRAM; 256Кx16бит; 4,5÷5,5В; 10нс; TSOP44 II
- CY7C1041GN30-10ZSX IC: память SRAM; 256Кx16бит; 2,2÷3,6В; 10нс; TSOP44 II
- CY7C1041GN3010ZSXI IC: память SRAM; 256Кx16бит; 2,2÷3,6В; 10нс; TSOP44 II
- CY7C1049GN30-10ZSX IC: память SRAM; 512Кx8бит; 2,2÷3,6В; 10нс; TSOP44 II
- CY7C1051DV33-10ZSX Память SRAM; 512Кx16бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II; параллельный
- CY7C1061G30-10ZSXI IC: память SRAM; 1Mx16бит; 2,2÷3,6В; 10нс; TSOP54 II; параллельный
- CY7C109D-10VXI IC: память SRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 10нс; SOJ32; параллельный
- CY7C199D-10VXI IC: память SRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 10нс; SOJ28; параллельный
- CY62128EV30LL-45SX IC: память SRAM; 128Кx8бит; 2,2÷3,6В; 45нс; SO32; параллельный
- FM24CL04B-G IC: память FRAM; I2C; 512x8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; SO8
- FM25V10-G IC: память FRAM; SPI; 128Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 40МГц; SO8
- FM25V10-GTR IC: память FRAM; SPI; 128Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 40МГц; SO8
- 24FC08-I/MS IC: память EEPROM; I2C; 1Кx8бит; 1,7÷5,5В; 1МГц; TSSOP8
- 39SF020A-70NHE IC: память FLASH; 256Кx8бит; 70нс; PLCC32; параллельный
- 4C128M16D2-25BCNTR IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; 0÷85°C
- 4C128M16D2-25BINTR IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷95°C
- 4C128M16D2A-25BAN IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; лоток
- 4C128M16D2A25BANTR IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; бобина
- 4C128M16D2A25BCNTR IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; 0÷85°C
- 4C128M16D2A25BINTR IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷95°C
- 4C128M16D3C-93BCN IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,5В; 1066МГц; 13,09нс; FBGA96; 0÷95°C
Памяти - микросхемы
11 623 позиции